Transphorm与伟诠电子合作推出新款集成型SiP氮化镓器件

该SiP系列现已增至三款器件，均使用了Transphorm的SuperGaN，为支持新一代适配器和充电器拓展了功率等级

美国加利福尼亚州戈莱塔，台湾新竹--(美国商业资讯)--全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）与适配器USB PD控制器集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.（伟诠电子，TWSE：2436）今日宣布推出两款新型系统级封装氮化镓器件（SiP），与去年推出的伟诠电子旗舰氮化镓 SiP 一起，组成首个基于 Transphorm SuperGaN® 平台的系统级封装氮化镓产品系列。

新推出的两款SiP器件型号分别为WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了伟诠电子的高频多模（准谐振/谷底开关）反激式PWM控制器和Transphorm的150毫欧和480毫欧SuperGaN FET。与上一款240毫欧器件（WT7162RHUG24A）相同，两款新的器件与USB PD或可编程电源适配器控制器配对即可提供整体适配器解决方案。值得注意的是，它们还可提供更多创新功能，包括UHV谷底跟踪充电模式、自适应OCP补偿和自适应绿色模式控制等，使客户能够使用更少的器件、最精简的设计方案，设计出更快、更高质量的电源产品。

伟诠电子市场推广副总裁Wayne Lo表示：“去年，我们推出了首款SiP氮化镓器件，这是伟诠电子发展历程中的一个重要里程碑。对于AC-DC电源产品市场，SiP氮化镓器件代表了一种全新的进入市场策略（Go-To-Market Strategy）。今天发布的新产品表明，我们将继续为该应用领域提供更多的器件选择，支持更广泛的产品功率级。基于 Transphorm SuperGaN平台并采用整体封装解决方案，可以为从30瓦低功率USB-C PD电源适配器到功率接近200瓦的充电器在内的各种装置提供更易设计的高性能电源，这是 Transphorm氮化镓器件的独特之处。”

终端产品制造商想方设法开发物料（BOM）成本更低、但同时又具备灵活、快速充电、和更高功率输出的新型适配器。此外，针对许多应用场景，制造商还希望提供具有多个端口和/或多种连接类型的更为通用的充电器。而所有这些方案，产品外形都要做到更小、更轻。

Transphorm常闭型d-mode SuperGaN 技术平台的主要优势包括：同类最佳的稳固性（+/-20V的栅极裕度和4V的抗扰性）及可靠性（FIT失效率<0.05），且功率密度比硅器件高50%。伟诠电子精简的SiP设计，利用了上述GaN器件优势以及自身的创新技术，打造出一款近乎即插即用的解决方案，缩小外形尺寸的同时，加快设计速度。

Transphorm全球销售及FAE副总裁 Tushar Dhayagude 表示：“从适配器和充电器制造商的需求考虑，SiP可以成为重要的器件选项。不仅能满足系统电源转换效率的要求，而且功能集成，器件更易使用，从而在最短的时间内可设计出产品。伟诠电子此前推出的首款器件验证了SuperGaN SiP的性能和灵活性。本次发布新款器件，表明了我们两家公司在深化并实践为客户提供更多选择的承诺。”

目标应用和供货情况

伟诠电子 SuperGaN SiP系列特别适用在用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、头戴式耳机、无人机、扬声器、相机等移动/物联网设备等的轻薄、高性能的USB-C电源适配器。

关于Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99%、将功率密度提高50%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于美国加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。

关于伟诠电子

伟诠电子（TWSE：2436）成立于1989年，位于“台湾硅谷”新竹科学园区，是领先的无晶圆厂半导体公司，专长于混合信号/数字集成电路产品的规划、设计、测试、应用开发和分销，产品用于电源、电机控制、图像处理等多个应用领域。